Le produit TO-3P(N)/50A vient compléter la gamme des commutateurs durs de sixième génération
TOKYO - Samedi 30 Mars 2013 [ME NewsWire]
(BUSINESS WIRE)--Toshiba Corporation (TOKYO : 6502) a élargi sa gamme de commutateurs IGBT en boitiers discrets de 6ème génération à usage général et industriel avec l'ajout du modèle « GT50J342 », un produit TO-3P(N) avec indices suivants : IC= 55A et VCES= 600V. La nouvelle gamme garantit une tension VCE(sat)=1,5 V (typ.) sous les conditions suivantes : IC= 50A et tsc = 5μs (Tj ≤150 °C). Le modèle est conçu pour les onduleurs et moteurs à usage général.
Applications
onduleurs et moteurs à usage général
Caractéristiques principales
1. Faible tension de saturation: V CE (sat) = 1,5 V (typ.) @ IC = 50A
2. Température de jonction élevée : Tj = 175°C
3. Courant de court-circuit admissible : tsc = 5μs (Tj ≤ 150°C)
4. Intègre les FRD (diodes de récupération rapide)
Gamme
de commutateurs IGBT en boitiers discrets de 6ème génération
IC
Produit
VCE(sat) (typ.)
Boîtier
15A
GT15J341
1.5V @ IC
TO220SIS
20A
GT20J341
TO220SIS
30A
GT30J341
TO-3P(N)
50A
GT50J342
TO-3P(N)
*Veuillez cliquer sur ce lien pour en savoir plus sur ce produit. http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/transistor/selection/topics/1268523_2470.html
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